Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
OLIVEIRA, Thiago F. et al. Análise dos efeitos de tensão em espectros de fotoluminescência teóricos em nanoestruturas de GaAs/GaAsN. 2014, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdf. Acesso em: 20 maio 2024.APA
Oliveira, T. F., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., & Silva Júnior, E. F. (2014). Análise dos efeitos de tensão em espectros de fotoluminescência teóricos em nanoestruturas de GaAs/GaAsN. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdfNLM
Oliveira TF, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Júnior EF. Análise dos efeitos de tensão em espectros de fotoluminescência teóricos em nanoestruturas de GaAs/GaAsN [Internet]. Resumos. 2014 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdfVancouver
Oliveira TF, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Júnior EF. Análise dos efeitos de tensão em espectros de fotoluminescência teóricos em nanoestruturas de GaAs/GaAsN [Internet]. Resumos. 2014 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdf
